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元件参数资料
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参数目录34022
> DTC114GSATP TRANSISTOR NPN 50V 100MA SPT TB
型号:
DTC114GSATP
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
TRANSISTOR NPN 50V 100MA SPT TB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
DTC114GSATP PDF
标准包装
5,000
系列
-
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
30 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
频率 - 转换
250MHz
功率 - 最大
300mW
安装类型
通孔
封装/外壳
SC-72 成形引线
供应商设备封装
SPT
包装
带盒(TB)
查看DTC114GSATP代理商
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